常用p沟道mos管型号_4N04R8场效应管引脚

(44) 2024-06-19 17:01:01

**AP4959M-VB**

**丝印:** VBA4338  
**品牌:** VBsemi  
**封装:** SOP8  

**详细参数说明:**  
- 2个P—Channel沟道  
- 额定电压:-30V  
- 额定电流:-7A  
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):35mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)  
- 门源极阈值电压(Vth):-1.5V  

常用p沟道mos管型号_4N04R8场效应管引脚 (https://mushiming.com/)  第1张

**应用简介:**  
AP4959M-VB是一款P沟道MOSFET,具有低漏极-源极电阻和高额定电流,适用于多种电源管理、功率控制和开关应用。

**举例说明:**  
1. **电源开关模块**:AP4959M-VB可用于电源开关模块中,用于开关电源的正常运行和保护。其低漏极-源极电阻和高额定电流使其在这些模块中具有良好的性能和可靠性。

2. **电动汽车充电模块**:在电动汽车充电桩中,AP4959M-VB可用作充电控制模块的开关器件,实现电动汽车的快速充电和安全保护。其高效率和稳定性使其成为这些模块中的理想选择。

3. **LED照明驱动模块**:在LED照明系统中,AP4959M-VB可用作LED驱动器的开关器件,实现LED的控制和调光。其高效率和稳定性使其在室内和室外照明系统中得到广泛应用。

综上所述,AP4959M-VB适用于电源开关、电动汽车充电、LED照明驱动等领域的模块设计,具有良好的性能和应用前景。

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